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EN 62258-1-2005 半导体压模产品.第1部分:采购和使用要求

作者:标准资料网 时间:2024-05-18 05:17:02  浏览:8314   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:Semiconductordieproducts-Part1:Requirementsforprocurementanduse(IEC62258-1:2005);GermanversionEN62258-1:2005
【原文标准名称】:半导体压模产品.第1部分:采购和使用要求
【标准号】:EN62258-1-2005
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2006-04
【实施或试行日期】:2006-04-01
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:组装件;芯片;组件;连接;定义;交付;电气工程;电学测量;电子工程;电子设备及元件;环境试验;集成电路;材料;机械试验;采购;生产;半导体器件;半导体;规范(验收);试验;薄片
【英文主题词】:Assemblies;Chips;Components;Connections;Definition;Definitions;Delivery;Electricalengineering;Electricalmeasurement;Electronicengineering;Electronicequipmentandcomponents;Environmentaltesting;Integratedcircuits;Materials;Mechanicaltesting;Procurements;Production;Semiconductordevices;Semiconductors;Specification(approval);Testing;Wafers
【摘要】:
【中国标准分类号】:L55
【国际标准分类号】:31_200
【页数】:42P.;A4
【正文语种】:英语


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【英文标准名称】:StandardGuideforDepthProfilinginAugerElectronSpectroscopy
【原文标准名称】:俄歇电子能谱学中的深度压形的标准指南
【标准号】:ASTME1127-2008
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2008
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:E42.03
【标准类型】:(Guide)
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:anglelapping;angle-resolvedAES;Augerelectronspectroscopy;ballcratering;compositionaldepthprofiling;crosssectioning;depthprofiling;depthresolution;sputterdepthprofiling;sputtering;thinfilms;Surfaceanalysis--spectrochemicalanalysis
【摘要】:Augerelectronspectroscopyyieldsinformationconcerningthechemicalandphysicalstateofasolidsurfaceinthenearsurfaceregion.Nondestructivedepthprofilingislimitedtothisnearsurfaceregion.Techniquesformeasuringthecraterdepthsandfilmthicknessesaregivenin(1).Ionsputteringisprimarilyusedfordepthsoflessthantheorderof1x03BC;m.Anglelappingormechanicalcrateringisprimarilyusedfordepthsgreaterthantheorderof1x03BC;m.Thechoiceofdepthprofilingmethodsforinvestigatinganinterfacedependsonsurfaceroughness,interfaceroughness,andfilmthickness(2).ThedepthprofileinterfacewidthscanbemeasuredusingalogisticfunctionwhichisdescribedinPracticeE1636.1.1ThisguidecoversproceduresusedfordepthprofilinginAugerelectronspectroscopy.1.2Guidelinesaregivenfordepthprofilingbythefollowing:
Section
IonSputtering
6
AngleLappingandCross-Sectioning
7
MechanicalCratering
8
MeshReplicaMethod
9
NondestructiveDepthProfiling
10